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FDN86265P

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onsemi

MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3

FDN86265P Technisches Datenblatt

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FDN86265P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.36685 -
6,000 $0.34155 -
15,000 $0.32890 -
30,000 $0.32200 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 800mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.1 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 210 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FQA16N50
SQ2361AEES-T1_GE3
SI4435DDY-T1-E3
IXFB44N100Q3
IXFB44N100Q3
$0 $/Stück
IRFR420ATRLPBF
FDB6670S
PXN017-30QLJ
APT6025BLLG

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