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FDP025N06

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

FDP025N06 Technisches Datenblatt

compliant

FDP025N06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.40000 $5.4
10 $4.82500 $48.25
100 $3.95620 $395.62
500 $3.20354 $1601.77
1,000 $2.70178 -
1775 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 226 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14885 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 395W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDN5632N-F085
FDN5632N-F085
$0 $/Stück
HUF76143P3
STD60NF55LAT4
RQ5E065AJTCL
IRFP4332PBF
FDB8030L
DMN2024UQ-7
NTD4904NT4G
NTD4904NT4G
$0 $/Stück

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