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FDP027N08B

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

FDP027N08B Technisches Datenblatt

compliant

FDP027N08B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 178 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13530 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 246W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IPI144N12N3G
IRF7210PBF
NTD65N03RG
NTD65N03RG
$0 $/Stück
NTB18N06T4G
NTB18N06T4G
$0 $/Stück
NVMFS5C442NLT1G
NVMFS5C442NLT1G
$0 $/Stück

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