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FDP027N08B-F102

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

compliant

FDP027N08B-F102 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.60000 $3.6
10 $3.22700 $32.27
100 $2.66490 $266.49
800 $1.97734 $1581.872
1,600 $1.85233 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 178 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13530 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 246W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

C3M0075120K
C3M0075120K
$0 $/Stück
SQJA38EP-T1_GE3
RSQ015N06HZGTR
SFP9530
STQ2LN60K3-AP
NTHL033N65S3HF
NTHL033N65S3HF
$0 $/Stück
IXTK82N25P
IXTK82N25P
$0 $/Stück

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