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FDP036N10A

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

FDP036N10A Technisches Datenblatt

compliant

FDP036N10A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.60000 $4.6
10 $4.11900 $41.19
100 $3.40030 $340.03
800 $2.52300 $2018.4
1,600 $2.36350 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 116 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7295 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 333W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RM1A4N150S6
RM1A4N150S6
$0 $/Stück
STU150N3LLH6
CSD23285F5T
CSD23285F5T
$0 $/Stück
IRF4905PBF
BSS138L
BSS138L
$0 $/Stück
STL35N15F3
STL35N15F3
$0 $/Stück
AO3400-5.8A
AO3400-5.8A
$0 $/Stück
R6507KNJTL
R6507KNJTL
$0 $/Stück

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