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FDP053N08B-F102

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3

nicht konform

FDP053N08B-F102 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.07213 $857.704
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5960 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 146W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIR882DP-T1-GE3
STWA88N65M5
FDMC6296
SUD50P08-25L-BE3
STI22NM60N
STI22NM60N
$0 $/Stück
NVMFS5C628NLWFAFT3G
NVMFS5C628NLWFAFT3G
$0 $/Stück
RQ1E050RPTR
SI1427EDH-T1-GE3

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