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FDP12N60NZ

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MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

FDP12N60NZ Technisches Datenblatt

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FDP12N60NZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.89000 $1.89
10 $1.71200 $17.12
100 $1.38460 $138.46
500 $1.08770 $543.85
1,000 $0.90956 -
253 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1676 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 240W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDMS0306AS
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$0 $/Stück
NDS331N
NDS331N
$0 $/Stück
VN0808L-G
STD11NM65N
STD11NM65N
$0 $/Stück
SI7456DP-T1-GE3

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