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FDP2614

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3

FDP2614 Technisches Datenblatt

compliant

FDP2614 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.43000 $4.43
10 $3.95600 $39.56
100 $3.24360 $324.36
800 $2.37336 $1898.688
1,600 $2.21514 -
3180 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 62A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 99 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7230 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 260W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FQP13N10L
FQP13N10L
$0 $/Stück
BUK664R6-40C,118
PSMN012-100YS,115
FDH5500
FDD3682
FDD3682
$0 $/Stück

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