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FDP33N25

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onsemi

MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3

FDP33N25 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDP33N25 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.03000 $2.03
10 $1.83200 $18.32
100 $1.47190 $147.19
500 $1.14480 $572.4
1,000 $0.94855 -
2947 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2135 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 235W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SQJ431AEP-T1_BE3
IXTA120N04T2
IXTA120N04T2
$0 $/Stück
IRFR430ATRPBF
IRFPS43N50KPBF
IPD06N03LAG
NTF5P03T3G
NTF5P03T3G
$0 $/Stück

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