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FDP65N06

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3

FDP65N06 Technisches Datenblatt

compliant

FDP65N06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.82000 $1.82
10 $1.64700 $16.47
100 $1.32390 $132.39
500 $1.02968 $514.84
1,000 $0.85317 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2170 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 135W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTP60N10T
IXTP60N10T
$0 $/Stück
APT6013LLLG
STL9P3LLH6
STL9P3LLH6
$0 $/Stück
DMPH4023SK3-13
SI7326DN-T1-GE3
IRFU430BTU
IRFP3077PBF
SI4100DY-T1-GE3

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