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FDP8N50NZ

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onsemi

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3

FDP8N50NZ Technisches Datenblatt

compliant

FDP8N50NZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.39000 $1.39
10 $1.23500 $12.35
100 $0.97590 $97.59
500 $0.75678 $378.39
1,000 $0.59747 -
1000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 735 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

APT14M100S
FDC855N
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$0 $/Stück
FDD86326
FDD86326
$0 $/Stück
ZVN4206AVSTZ
IXTA3N110-TRL
IXTA3N110-TRL
$0 $/Stück
FQP3N30
FQP3N30
$0 $/Stück
IXFH40N50Q
IXFH40N50Q
$0 $/Stück

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