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FDPF2D3N10C

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 222A TO220F

FDPF2D3N10C Technisches Datenblatt

compliant

FDPF2D3N10C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.80519 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 222A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 700µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 152 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11180 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RFP17N06L
RFP17N06L
$0 $/Stück
DMT4004LPS-13
SIHD11N80AE-T1-GE3
DMTH32M5LPS-13
TP65H050WSQA
TP65H050WSQA
$0 $/Stück
RFP15N06
RFP15N06
$0 $/Stück
DMT3006LFV-7
RFA100N05E
RFA100N05E
$0 $/Stück

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