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FDR6580

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

FDR6580 Technisches Datenblatt

compliant

FDR6580 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 11.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3829 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-8
Paket / Koffer 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IRFBE30S
IRFBE30S
$0 $/Stück
RTQ025P02TR
SI4660DY-T1-GE3
IRLR3410CPBF
BUK7Y25-40B/C3115
IRF9640S
IRF9640S
$0 $/Stück
IRFR6215TRL

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