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FDS3680

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC

FDS3680 Technisches Datenblatt

compliant

FDS3680 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1735 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IRF7494PBF
IRF7450PBF
2SK4177-E
2SK4177-E
$0 $/Stück
NVMFS5C423NLWFT1G
NVMFS5C423NLWFT1G
$0 $/Stück
STH130N10F3-2
IRFBC30A
IRFBC30A
$0 $/Stück

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