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FDS6890A

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

FDS6890A Technisches Datenblatt

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FDS6890A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.69063 -
5,000 $0.65801 -
12,500 $0.63470 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2130pF @ 10V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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