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FDS6986AS

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MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC

FDS6986AS Technisches Datenblatt

nicht konform

FDS6986AS Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.36632 -
5,000 $0.34241 -
12,500 $0.33045 -
25,000 $0.32393 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A, 7.9A
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 720pF @ 10V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

FDMA6023PZT
FDMA6023PZT
$0 $/Stück
ZXMC3AM832TA
SIZF916DT-T1-GE3
NTHD5905T1
NTHD5905T1
$0 $/Stück
DMN3135LVT-7
FDS6984AS
FDW2508P
MSCC60AM23C4AG
DMC25D1UVT-7

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