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FDS6990AS

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MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

FDS6990AS Technisches Datenblatt

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FDS6990AS Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.42853 -
5,000 $0.40828 -
12,500 $0.39382 -
25,000 $0.39172 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 550pF @ 15V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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