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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 4.1A, 3.4A |
| rds ein (max) @ id, vgs | 80mOhm @ 4.1A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 282pF @ 10V |
| Leistung - max. | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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