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FDS8958B

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onsemi

MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC

FDS8958B Technisches Datenblatt

compliant

FDS8958B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.31392 -
5,000 $0.29342 -
12,500 $0.28318 -
25,000 $0.27759 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.4A, 4.5A
rds ein (max) @ id, vgs 26mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 540pF @ 15V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

MCH6631-TL-E-SY
MCH6631-TL-E-SY
$0 $/Stück
NVMFD5877NLT3G
NVMFD5877NLT3G
$0 $/Stück
DMC31D5UDJ-7B
EPC2106
EPC2106
$0 $/Stück
BUK7K15-80EX
EMH2411R-TL-H
EMH2411R-TL-H
$0 $/Stück

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