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FDT439N

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

FDT439N Technisches Datenblatt

compliant

FDT439N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.29635 -
8,000 $0.27591 -
12,000 $0.26569 -
28,000 $0.26012 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 500 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223-4
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H801NT1G
$0 $/Stück
BS170-D26Z
BS170-D26Z
$0 $/Stück
DN2470K4-G
APT8015JVFR
FDD8453LZ
FDD8453LZ
$0 $/Stück
SIHU4N80E-GE3
APT5016BFLLG

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