Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDV303N

FDV303N

FDV303N

onsemi

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

FDV303N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDV303N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.07598 -
6,000 $0.06641 -
15,000 $0.05684 -
30,000 $0.05365 -
75,000 $0.05046 -
150,000 $0.04408 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 680mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.7V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STR2N2VH5
STR2N2VH5
$0 $/Stück
CSD17581Q3A
CSD17581Q3A
$0 $/Stück
PSMN2R0-60PS,127
IRF614STRRPBF
STL42N65M5
STL42N65M5
$0 $/Stück
IRF9510SPBF
IRF9510SPBF
$0 $/Stück
IXTA1N100P-TRL
IXTA1N100P-TRL
$0 $/Stück
NTMFS4108NT1G
NTMFS4108NT1G
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.