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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) | 650 V |
| Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) | 4A |
| Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | 1.75 V @ 4 A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Sperrverzögerungszeit (trr) | 0 ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ vr | 200 µA @ 650 V |
| Kapazität @ vr, f | 247pF @ 1V, 100kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | 4-PowerTSFN |
| Lieferantengerätepaket | 4-PQFN (8x8) |
| Betriebstemperatur - Kontaktstelle | -55°C ~ 175°C |
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