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FJNS3212RTA

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onsemi

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

FJNS3212RTA Technisches Datenblatt

compliant

FJNS3212RTA Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max) 100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V
Widerstand - Basis (r1) 47 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) -
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250 MHz
Leistung - max. 300 mW
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Lieferantengerätepaket TO-92S
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Zugehörige Teilenummer

FJV3115RMTF
DTC114EKA-TP
PBRN113ZK,115
PBRN113ZK,115
$0 $/Stück
DTC363TKT146
DTC123JKA-TP
PDTC123YK,115
PDTC123YK,115
$0 $/Stück

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