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FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

onsemi

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

FQD13N06LTM Technisches Datenblatt

compliant

FQD13N06LTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.25865 -
5,000 $0.24176 -
12,500 $0.23332 -
25,000 $0.22872 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 115mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.4 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRFB5615PBF
DMT6030LFDF-7
NVMFS5A140PLZWFT1G
NVMFS5A140PLZWFT1G
$0 $/Stück
PSMN1R9-40YSDX
IPI80N04S3-03
BUK9509-75A,127
BUK9509-75A,127
$0 $/Stück
DMP2002UPS-13
NTMFS0D9N03CGT1G
NTMFS0D9N03CGT1G
$0 $/Stück

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