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FQD13N10TM

FQD13N10TM

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

FQD13N10TM Technisches Datenblatt

compliant

FQD13N10TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.28494 -
5,000 $0.26633 -
12,500 $0.25703 -
25,000 $0.25196 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

UJ4C075023K4S
UJ4C075023K4S
$0 $/Stück
DMN2046U-7
R6006ANDTL
R6006ANDTL
$0 $/Stück
2N7002NXBKR
2N7002NXBKR
$0 $/Stück
DMT3020LFVW-7
STD1HN60K3
STD1HN60K3
$0 $/Stück
PXN010-30QLJ
SIR500DP-T1-RE3
NTD4970N-35G
NTD4970N-35G
$0 $/Stück

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