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FQD5N60CTM-WS

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MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

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FQD5N60CTM-WS Preise und Bestellung

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2,500 $0.50204 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 670 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NVH4L160N120SC1
NVH4L160N120SC1
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BVSS84LT1G
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RD3P175SNFRATL
AUIRFN8405TR
CSD23201W10
CSD23201W10
$0 $/Stück
STF11NM50N
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SQJA92EP-T1_GE3
STP141NF55
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$0 $/Stück
DMG3402L-7

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