Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FQP65N06

FQP65N06

FQP65N06

onsemi

MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3

FQP65N06 Technisches Datenblatt

compliant

FQP65N06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.32000 $2.32
10 $2.10500 $21.05
100 $1.70340 $170.34
500 $1.33816 $669.08
1,000 $1.11901 -
1900 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2410 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

MTD6N10E1
MTD6N10E1
$0 $/Stück
IRLZ14PBF-BE3
IXFN38N100Q2
IXFN38N100Q2
$0 $/Stück
BUK9M15-60EX
STD13N65M2
STD13N65M2
$0 $/Stück
HUF75639P3-F102
HUF75639P3-F102
$0 $/Stück
RRL035P03FRATR
FDU8876

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.