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FQP6N80C

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3

FQP6N80C Technisches Datenblatt

compliant

FQP6N80C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.31000 $2.31
10 $2.09300 $20.93
100 $1.69360 $169.36
500 $1.33050 $665.25
1,000 $1.11261 -
685 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1310 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 158W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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