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FQPF14N30

FQPF14N30

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F

FQPF14N30 Technisches Datenblatt

compliant

FQPF14N30 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 4.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1360 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFS3107
BUK6Y15-40PX
SUM85N03-06P-E3
IXTP5N50P
IXTP5N50P
$0 $/Stück
BUK9M5R2-30E115
IRF3704LPBF
FQD5P20TF
FQD5P20TF
$0 $/Stück
MIC94052BC6TR
SI4836DY-T1-GE3

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