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FQPF19N10

FQPF19N10

FQPF19N10

onsemi

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F

FQPF19N10 Technisches Datenblatt

compliant

FQPF19N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.62414 -
798 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 780 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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