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FQPF3N30

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 1.95A TO220F

FQPF3N30 Technisches Datenblatt

compliant

FQPF3N30 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.95A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 980mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 230 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

APT7F80K
IRFPS38N60LPBF
ZXMN3A02X8TA
STW6N120K3
STW6N120K3
$0 $/Stück
SI5402BDC-T1-GE3
IRF6635TR1PBF
NTK3142PT5G
NTK3142PT5G
$0 $/Stück
SI9424BDY-T1-E3

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