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FQPF3N80C

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

SOT-23

FQPF3N80C Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF3N80C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.78000 $1.78
10 $1.57900 $15.79
100 $1.24780 $124.78
500 $0.96768 $483.84
1,000 $0.76395 -
997 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 705 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI4442DY-T1-E3
FDMC8854
FDMC8854
$0 $/Stück
IXFA30N60X
IXFA30N60X
$0 $/Stück
IXFN400N15X3
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$0 $/Stück
IXFX34N80
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$0 $/Stück

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