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FQPF65N06

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 40A TO220F

FQPF65N06 Technisches Datenblatt

compliant

FQPF65N06 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.28000 $2.28
10 $2.06000 $20.6
100 $1.65500 $165.5
500 $1.28724 $643.62
1,000 $1.06658 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2410 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 56W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PSMN3R2-30YLC,115
APT50N60JCU2
IPSH6N03LB G
SPI80N08S2-07
2N7002-13-F-79
IXFK55N50
IXFK55N50
$0 $/Stück
IRF6810STRPBF
IRLR7811WPBF
FQPF3N90_NL
FQPF3N90_NL
$0 $/Stück

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