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FQPF6N80C

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F

FQPF6N80C Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF6N80C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.31000 $2.31
10 $2.08800 $20.88
100 $1.68980 $168.98
500 $1.32750 $663.75
1,000 $1.11008 -
1 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1310 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 51W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDMA7670
FDMA7670
$0 $/Stück
BSO303SP
STD18N65M5
STD18N65M5
$0 $/Stück
FDD8447L
FDD8447L
$0 $/Stück
DMN10H170SVT-13
R5013ANXFU6
STFI10N65K3

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