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FQPF70N10

FQPF70N10

FQPF70N10

onsemi

MOSFET N-CH 100V 35A TO220F

FQPF70N10 Technisches Datenblatt

compliant

FQPF70N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.06000 $3.06
10 $2.76800 $27.68
100 $2.23900 $223.9
500 $1.75890 $879.45
1,000 $1.47084 -
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

G70N04T
G70N04T
$0 $/Stück
IRFP048PBF
IRFP048PBF
$0 $/Stück
SIDR626LEP-T1-RE3
IPP60R600CP
IXTA4N150HV-TRL
IXTA4N150HV-TRL
$0 $/Stück

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