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FQPF8N60CT

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

FQPF8N60CT Technisches Datenblatt

compliant

FQPF8N60CT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1255 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STP4NB100
STP4NB100
$0 $/Stück
IRLU8113PBF
IPP45N06S3-16
NDP6020P
IXTH12N100
IXTH12N100
$0 $/Stück
NOCATSTYPE
NOCATSTYPE
$0 $/Stück
IRFR4104TR

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