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FQPF9P25

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onsemi

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

FQPF9P25 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF9P25 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.77000 $1.77
10 $1.57300 $15.73
100 $1.25220 $125.22
500 $0.98012 $490.06
1,000 $0.78230 -
324 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 620mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1180 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

BUK962R5-60E,118
IXFR24N80P
IXFR24N80P
$0 $/Stück
RW1A013ZPT2R
SIHG28N60EF-GE3
SCH1331-S-TL-H
SCH1331-S-TL-H
$0 $/Stück
UF4SC120023K4S
UF4SC120023K4S
$0 $/Stück

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