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FQT5P10TF

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onsemi

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

FQT5P10TF Technisches Datenblatt

compliant

FQT5P10TF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.25081 -
8,000 $0.23463 -
12,000 $0.21844 -
28,000 $0.20712 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.05Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223-4
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

IXFH86N30T
IXFH86N30T
$0 $/Stück
IRF840ALPBF
IRF840ALPBF
$0 $/Stück
STF17N62K3
STF17N62K3
$0 $/Stück
SISHA10DN-T1-GE3
NTD4804NT4G
NTD4804NT4G
$0 $/Stück
PMPB23XNEZ
PMPB23XNEZ
$0 $/Stück

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