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Name | Wert |
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Produktstatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 17.2A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 60mOhm @ 8.6A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 13 nC @ 5 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 630 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I-PAK |
Paket / Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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