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FQU20N06LTU

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK

FQU20N06LTU Technisches Datenblatt

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FQU20N06LTU Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.06000 $1.06
10 $0.93100 $9.31
100 $0.72340 $72.34
500 $0.54136 $270.68
1,000 $0.43734 -
2290 items
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 8.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 630 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

IRFF232
IRFF232
$0 $/Stück
HUFA75344G3
NTD4858NAT4G
NTD4858NAT4G
$0 $/Stück
RD3L050SNFRATL
FQP7N80C
FQP7N80C
$0 $/Stück
AUIRFS8409TRL
SIHP6N40D-BE3

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