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FW811-TL-E

FW811-TL-E

FW811-TL-E

onsemi

MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP

FW811-TL-E Technisches Datenblatt

nicht konform

FW811-TL-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 35V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.6V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 660pF @ 20V
Leistung - max. 2.2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

SP8M3FU6TB1
MP6M11TCR
MP6M11TCR
$0 $/Stück
FDG6318P
FDG6318P
$0 $/Stück
SI1539DL-T1-GE3
2N7002V-7
2N7002V-7
$0 $/Stück
SI3588DV-T1-E3
SI4505DY-T1-GE3

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