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H11F2W

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onsemi

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

H11F2W Technisches Datenblatt

compliant

H11F2W Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
Anzahl der Kanäle 1
Spannung - Isolierung 5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min) -
Stromübertragungsverhältnis (max) -
Einschalt-/Ausschaltzeit (typisch) 25µs, 25µs (Max)
Anstiegs-/Abfallzeit (typ.) -
Eingabetyp DC
Ausgabetyp MOSFET
Spannung - Ausgang (max.) 30V
Strom - Ausgang / Kanal -
Spannung - Vorwärts (vf) (typ) 1.3V
Strom - DC vorwärts (if) (max) 60 mA
vce-Sättigung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C
Montageart Through Hole
Paket / Koffer 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Lieferantengerätepaket 6-DIP
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Zugehörige Teilenummer

4N373SD
4N373SD
$0 $/Stück
H11AA1TM
H11AA1TM
$0 $/Stück
TIL111TM
PC815Y
PC815Y
$0 $/Stück
HCPL-4562#520
CNY17F1300
CNY17F1300
$0 $/Stück

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