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HUF75545P3

HUF75545P3

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3

HUF75545P3 Technisches Datenblatt

compliant

HUF75545P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.40000 $3.4
10 $3.03400 $30.34
100 $2.48820 $248.82
500 $2.01480 $1007.4
1,000 $1.69924 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 235 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3750 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 270W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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