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HUF75617D3ST

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA

compliant

HUF75617D3ST Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.42706 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 570 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 64W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IPA50R280CE
NTD50N03R-035
NTD50N03R-035
$0 $/Stück
IRFR3518TRPBF
IPDH5N03LA G
FDS4675-F085
FDS4675-F085
$0 $/Stück
SPP06N80C3XK
STD7NM50N-1
AUIRF7805QTR

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