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IRLS640A

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F

IRLS640A Technisches Datenblatt

nicht konform

IRLS640A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.78000 $1.78
10 $1.60700 $16.07
100 $1.30020 $130.02
500 $1.02140 $510.7
1,000 $0.85413 -
5960 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 4.9A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1705 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRFSL7537PBF
CSD19535KTTT
IRFR3711TRPBF
PHP29N08T,127
BUK9Y58-75B,115
IRF2204SPBF
FCD4N60TM
FCD4N60TM
$0 $/Stück
CSD19505KTT
CSD19505KTT
$0 $/Stück

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