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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 25V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | - |
gewinnen | - |
Leistung - max. | 350mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 4mA, 10V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Paket / Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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