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MJD112-001

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MJD112-001

onsemi

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

MJD112-001 Technisches Datenblatt

compliant

MJD112-001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max) 2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max) 20µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 1000 @ 2A, 3V
Leistung - max. 1.75 W
Frequenz - Übergang 25MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Lieferantengerätepaket I-PAK
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Zugehörige Teilenummer

KTA1504-O-TP
BC307CG
BC307CG
$0 $/Stück
MPSW45
MPSW45
$0 $/Stück
MJF127
MJF127
$0 $/Stück
BDW63A-S
BDW63A-S
$0 $/Stück
FJPF5555TU
FJPF5555TU
$0 $/Stück
2STC5200
2STC5200
$0 $/Stück
PN3645_D26Z
PN3645_D26Z
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BD1386STU
BD1386STU
$0 $/Stück

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