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MJD112G

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onsemi

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

MJD112G Technisches Datenblatt

compliant

MJD112G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
75 $0.53173 $39.87975
150 $0.42540 $63.81
525 $0.33425 $175.48125
1,050 $0.25829 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max) 2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max) 20µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 1000 @ 2A, 3V
Leistung - max. 1.75 W
Frequenz - Übergang 25MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK
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Zugehörige Teilenummer

TIP105
TIP105
$0 $/Stück
2DC4617QLP-7B
D44H8G
D44H8G
$0 $/Stück
2N6518TA
PUMD12/L135
PUMD12/L135
$0 $/Stück
BCP51TA
BCP51TA
$0 $/Stück
FZT751QTA
FZT751QTA
$0 $/Stück
JANTX2N3486A
PMBT4401,235
NTE2661
NTE2661
$0 $/Stück

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