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MJD112T4G

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onsemi

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

MJD112T4G Technisches Datenblatt

compliant

MJD112T4G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.73000 $0.73
500 $0.7227 $361.35
1000 $0.7154 $715.4
1500 $0.7081 $1062.15
2000 $0.7008 $1401.6
2500 $0.6935 $1733.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max) 2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max) 20µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 1000 @ 2A, 3V
Leistung - max. 20 W
Frequenz - Übergang 25MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK
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Zugehörige Teilenummer

NSV60601MZ4T1G
NSV60601MZ4T1G
$0 $/Stück
2N3440
2N3440
$0 $/Stück
PMBT4403,235
2SC5876T106Q
KSA1156OS
PUMB2/L135
PUMB2/L135
$0 $/Stück
MPSW06G
MPSW06G
$0 $/Stück
BC33840BU

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