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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 24 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 9.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 13mOhm @ 6A, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 25 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±10V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1500 pF @ 6 V |
| FET-Funktion | Current Sensing |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-PLLP (6.2x5.2) |
| Paket / Koffer | 4-DFN |
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