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NSVMUN5212DW1T1G

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onsemi

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

nicht konform

NSVMUN5212DW1T1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.07490 -
6,000 $0.06548 -
15,000 $0.05606 -
30,000 $0.05292 -
75,000 $0.04978 -
150,000 $0.04455 -
14644 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 22kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 22kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 60 @ 5mA, 10V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung - max. 250mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

UMH10NFHATN
UMH25NTN
UMH25NTN
$0 $/Stück
PQMB11Z
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$0 $/Stück
NSBC143ZDP6T5G
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$0 $/Stück
NSBC123JDXV6T5
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$0 $/Stück
DDC143EH-7
DDA113TU-7-F
NSBA144WDXV6T1G
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$0 $/Stück
DCX114EUQ-13R-F
NSVBA114YDXV6T1G
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$0 $/Stück

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